半導體電子刻蝕氣體一氟甲烷HFC-41成功量產(chǎn)
一氟甲烷(HFC-41, CH3F)在半導體工業(yè)中可作為氮化膜的刻蝕氣體,用于3D NAND閃存芯片的制造過(guò)程。北京宇極科技發(fā)展有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“北京宇極科技”)經(jīng)潛心研發(fā),成功量產(chǎn)了電子刻蝕氣一氟甲烷,打破國內單一廠(chǎng)商在該產(chǎn)品上的業(yè)務(wù)格局。作為含氟化工品生產(chǎn)企業(yè),北京宇極科技擁有獨立自主知識產(chǎn)權HFC-41的生產(chǎn)及提純工藝技術(shù),可產(chǎn)出4N級高純產(chǎn)品,亦可能根據不同客戶(hù)的要求,對雜質(zhì)組分進(jìn)行有針對性的定向去除。
一氟甲烷,也稱(chēng)為氟甲烷、甲基氟、氟利昂41、HFC-41、R 41。英文名稱(chēng)methyl fluoride、fluoromethane,ODP為0,GWP為97。CAS號593-53-3,UN號2454,分子式CH3F。常溫常壓下是無(wú)毒、可液化的可燃氣體,化學(xué)穩定性好。
HFC-41(一氟甲烷)的物化數據
外觀(guān)與性狀 |
無(wú)色無(wú)味壓縮液化氣體 |
分子量(g/mol) |
34.03 |
沸點(diǎn)(at 1.013 bar,℃) |
-78.4 |
蒸汽壓(20℃,bar) |
33.56 |
空氣中的可燃范圍(%vol) |
5.6-22.2 |
R41(一氟甲烷)的應用
高純HFC-41是一種綠色、高效的電子特氣,用于半導體及電子產(chǎn)品的刻蝕,對硅化物薄膜的刻蝕選擇性好,在射頻場(chǎng)下一氟甲烷HFC-41會(huì )溶解氟離子,進(jìn)行反應性離子蝕刻。在已申請的應用專(zhuān)利中,涉及HFC-41使用的主要半導體制造商有美國應用材料、英特爾、臺灣聯(lián)華電子、東京威力科創(chuàng )、富士通株式會(huì )社、中芯國際集成電路制造、臺灣積體電路制造、三星等。另外,已申請刻蝕應用專(zhuān)利的HFC-41生產(chǎn)廠(chǎng)商有大金株式會(huì )社、中央硝子、杜邦、巨化等國內外大型氟化工企業(yè)。
HFC-41在有機合成和藥物合成中,可作為有機分子的選擇性氟甲基化試劑。同時(shí),HFC-41也被用作重要農藥中間體氟溴甲烷的生產(chǎn)原料。
產(chǎn)品規格
純度等級 |
2N, 3N, 4N |
純度 |
≥99%, ≥99.9%, ≥99.99% |
雜質(zhì)組分 |
N2, O2, H2O, CO2, CO等 |
包裝信息
鋼瓶容積(L) |
充裝重量(kg) |
閥門(mén) |
10.2 |
2 |
CGA 350 |
47 |
8 |
CGA 350 |
運輸信息
DOT Name: Methyl Fluoride
DOT Hazard Class: 2.1
UN No.: UN 2454
DOT Label: Flammable Gas
CAS NO.: 593-53-3