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半導體電子刻蝕氣體一氟甲烷HFC-41成功量產(chǎn)

一氟甲烷(HFC-41, CH3F)在半導體工業(yè)中可作為氮化膜的刻蝕氣體,用于3D NAND閃存芯片的制造過(guò)程。北京宇極科技發(fā)展有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“北京宇極科技”)經(jīng)潛心研發(fā),成功量產(chǎn)了電子刻蝕氣一氟甲烷,打破國內單一廠(chǎng)商在該產(chǎn)品上的業(yè)務(wù)格局。作為氟化工品生產(chǎn)企業(yè),北京宇極科技獨立自主知識產(chǎn)權HFC-41生產(chǎn)及提純工藝技術(shù),可產(chǎn)出4N級高純產(chǎn)品,亦可能根據不同客戶(hù)的要求,雜質(zhì)組分進(jìn)行有針對性的定向去除。

一氟甲烷,也稱(chēng)為氟甲烷、甲基氟、氟利昂41、HFC-41、R 41。英文名稱(chēng)methyl fluoride、fluoromethane,ODP0,GWP97。CAS593-53-3,UN2454,分子式CH3F。常溫常壓下是無(wú)毒、可液化的可燃氣體,化學(xué)穩定性好。

HFC-41(一氟甲烷)的物化數據

外觀(guān)與性狀

無(wú)色無(wú)味壓縮液化氣體

分子量(g/mol

34.03

沸點(diǎn)(at 1.013 bar,℃)

-78.4

蒸汽壓(20℃,bar

33.56

空氣中的可燃范圍(%vol)

5.6-22.2

 

R41(一氟甲烷)的應用

高純HFC-41是一種綠色、高效的電子特氣,用于半導體及電子產(chǎn)品的刻蝕,硅化物薄膜的刻蝕選擇性好,在射頻場(chǎng)下一氟甲烷HFC-41會(huì )溶解氟離子,進(jìn)行反應性離子蝕刻。在已申請的應用專(zhuān)利中,涉及HFC-41使用的主要半導體制造商有美國應用材料、英特爾、臺灣聯(lián)華電子、東京威力科創(chuàng )、富士通株式會(huì )社、中芯國際集成電路制造、臺灣積體電路制造、三星等。另外,已申請刻蝕應用專(zhuān)利的HFC-41生產(chǎn)廠(chǎng)商有大金株式會(huì )社、中央硝子、杜邦、巨化等國內外大型氟化工企業(yè)。

HFC-41在有機合成和藥物合成中,可作為有機分子的選擇性氟甲基化試劑。同時(shí),HFC-41也被用作重要農藥中間體氟甲烷的生產(chǎn)原料。

產(chǎn)品規格

純度等級

2N, 3N, 4N

純度

99%, 99.9%, 99.99%

雜質(zhì)組分

N2, O2, H2O, CO2, CO

 

包裝信息

鋼瓶容積(L)

充裝重量(kg)

閥門(mén)

10.2

2

CGA 350

47

8

CGA 350

 

運輸信息

DOT Name: Methyl Fluoride

DOT Hazard Class: 2.1

UN No.: UN 2454

DOT Label: Flammable Gas

CAS NO.: 593-53-3